phase-state low electron drive memory：

PLEDM(相态低电子驱动记忆)是一种新的内存芯片技术,进攻能力大大超过内存设备常用的过去。图像和声音的长篇电影可以存储在单个PLEDM设备。因为内存的非易失性内存(删除数据时仍能力),PLEDM芯片,不包含移动部件,提供替换的可能性机电磁盘驱动器今天熟悉”“个人电脑使用。
适合PLEDM芯片,发达国家在1999年日立”“剑桥Univeity年代实验室,有一个读/写不到10纳秒的时间换秒)。在未来,这些芯片的承诺结合当前可用的高速和DRAM(动态随机存取记忆体)和不挥发性的所谓的闪存。设想,芯片也可以用于移动和便携电话机和数字视频雷科德。最终,这项技术可能会导致单电子存储器(SEM),在每个数据位的存在与否是由一个电子在一个原子或在一个特定的能量在一个原子。产品使用PLEDM预计到2005年在coumer级别可用.
这是适合发表在2005年4月

最近更新时间：2015-11-30 EN