magnetoresistive random access memory：

MRAM(磁阻的随机存取记忆体)是一种方法,使用磁存储数据位指控itead所使用的电荷DRAM(动态随机存取记忆体)。科学家定义一个金属磁阻的如果它显示了一个细微的变化在电阻放置在一个磁场。通过结合静态RAM的高速和高神DRAM,支持者说MRAM可以显著提高电子产品通过存储大量的数据,使其访问速度比现有的电子存储器在couming更少的电池电力。传统的随机存取存储器(RAM)计算机芯片存储信息只要电流经。一旦电源是关闭的,The information is lost unless it has had been copied to the hard drive or a floppy disk. The MRAM, an retai data after a power supply is cut off.取代DRAM MRAM可以防止数据丢失,并使计算itantly开始,而不必等待软件启动。
美国Defee高级研究计划局(DARPA)已经提供了资金帮助私营企业进行研究MRAM的潜力。从1995年开始,DARPA开始资助三个私人coortia研究的可行性MRAM通用内存高神,高速度,低功率的使用。领导三个coortia IBM,摩托罗拉,霍尼韦尔。惠普、松下、NEC、富士通、东芝、日立和西门子集团也投资于MRAM研究。摩托罗拉实验室称其/ univeal内存/允许集成的几个记忆还在单一芯片,导致芯片,耗能更低。three-volt is a MRAM chip The time of access address科nanoseconds reparacion 15。IBM和技术工作Infineon相反AG are chip say可以256-megabit正本以2004年投放市场。发展MRAM基本上遵循两个科学学校:1)自旋电子学,背后的科学巨磁阻的头用于磁盘驱动器和2)穿隧磁阻,或咯,预计未来MRAM .@的基础!这是2005年9月出版

最近更新时间：2015-11-30 EN