PLEDM：相位态低电子驱动存储器

相位态低电子驱动存储器（PLEDM，phase-state low electron drive memory）是一种新型的记忆芯片技术，与过去使用的记忆设备相比，它能提供更多的容量。一部全长的包含声音和图像的电影只要一个PLEDM设备就可以容纳。由于这种记忆体是非易失性的（断电后数据仍然被保存），PLEDM芯片有可能取代人们熟悉的机电式磁盘驱动器。

　　第一个PLEDM芯片1999年由日本的日立公司在剑桥大学的实验室开发成功，具有小于10纳秒的读写时间。将来，这项技术可以和现存的非易失性记忆体动态随机存取记忆（DRAM）和闪存联合使用。

最近更新时间：2008-06-17 EN