三星已开始大规模生产其最高位密度的三级单元NAND,这将增加驱动器容量、提高性能速度,以及降低该供应商成本。
自从在 2022 年闪存峰会和Memory Tech Day大会上发布该芯片以来,三星现在正在生产其第八代垂直NAND,即三星的3D NAND 版本。最新的是1TB密度的三级电池闪存芯片。该公司表示,其最新一代的数据传输速度提高了1.2倍,达到2.4 Gbps。
IDC研究副总裁Jeff Janukowicz表示,当主要供应商将下一代产品推向市场时,人们关注的是成本节约和更好的性能,这次也没有什么不同。
Janukowicz 表示:“在企业市场,我们看到对更高密度产品的需求,特别是对于存储应用。更高的密度往往也意味着更低的成本。”
他说,这种新的NAND不仅仅是为了制造高容量驱动器。同时,在较小容量的驱动器上使用更密集的NAND可以为三星节省成本。
难以置信的密度
根据IDC的研究表明,三星通过提高每个晶圆的位生产率实现了位密度,但他们没有提供额外的细节。三星是最大的NAND供应商,拥有约40%的市场份额。
Objective Analysis公司总经理兼半导体分析师Jim Handy表示,由于缺乏具体信息,我们很难量化三星新一代NAND与美光200多层NAND等竞争产品相比的表现。
他说,显而易见的是,增加密度可为该供应商带来最大的收益。
Handy表示:“对于任何闪存制造商来说,NAND进入下一开发阶段的好处是降低成本。”
Handy说,虽然增加密度和降低成本可能不会直接使客户受益,但客户会喜欢速度提升。
性能
三星最新一代垂直NAND(V-NAND)采用Toggle双倍数据速率 (DDR) 5.0 接口标准。Toggle标准由三星和东芝(现为Kioxia)共同创建,而DDR 5.0接口标准加快了数据传输速率,使三星能够提高V-NAND性能。
Handy 说:“Toogle DDR 5.0接口速度非常快,如果有人希望更快的NAND,现在就在这里。”
最新版本Toogle使数据传输速率达到每个引脚2400 Mbps,对于16引脚设备,数据传输速率为4800 GB/s。他说,NAND芯片的性能很快,但从芯片到控制器,然后通过接口到主机,性能会变慢。
尽管如此,芯片性能的提高将有利于SSD性能。Handy说,虽然任何NAND都可以用于更快的PCIe 5.0 SSD接口,但更快的NAND将带来更快的整体驱动器性能。
IDC的Janukowicz称:“每一代NAND都会看到内部结构的变化,这可能导致性能的提高。”
新规格的潜力
为即将推出的接口提高速度并不是这个新芯片的唯一潜在优势。Janukowicz说,每晶圆的密度是另一个新兴趋势,即从传统规格转向企业和数据中心标准外形规格(EDSFF)。某些外形规格的NAND封装空间有限。
“无论是长还是短,我们都看到转向更高容量的趋势,特别是在E.1L外形规格上,”他指的是长型或标尺SSD。
Handy说,通过添加更多的NAND来获得更高的容量也会产生更多的热量。EDSFF变频器具有更好的热调节能力,使其成为更高容量的更好选择。
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