三星已开始大规模生产其最高位密度的三级单元NAND，这将增加驱动器容量、提高性能速度，以及降低该供应商成本。

自从在 2022 年闪存峰会和Memory Tech Day大会上发布该芯片以来，三星现在正在生产其第八代垂直NAND，即三星的3D NAND 版本。最新的是1TB密度的三级电池闪存芯片。该公司表示，其最新一代的数据传输速度提高了1.2倍，达到2.4 Gbps。

IDC研究副总裁Jeff Janukowicz表示，当主要供应商将下一代产品推向市场时，人们关注的是成本节约和更好的性能，这次也没有什么不同。

Janukowicz 表示：“在企业市场，我们看到对更高密度产品的需求，特别是对于存储应用。更高的密度往往也意味着更低的成本。”

他说，这种新的NAND不仅仅是为了制造高容量驱动器。同时，在较小容量的驱动器上使用更密集的NAND可以为三星节省成本。

难以置信的密度

根据IDC的研究表明，三星通过提高每个晶圆的位生产率实现了位密度，但他们没有提供额外的细节。三星是最大的NAND供应商，拥有约40%的市场份额。

Objective Analysis公司总经理兼半导体分析师Jim Handy表示，由于缺乏具体信息，我们很难量化三星新一代NAND与美光200多层NAND等竞争产品相比的表现。

他说，显而易见的是，增加密度可为该供应商带来最大的收益。

Handy表示：“对于任何闪存制造商来说，NAND进入下一开发阶段的好处是降低成本。”

Handy说，虽然增加密度和降低成本可能不会直接使客户受益，但客户会喜欢速度提升。

性能

三星最新一代垂直NAND（V-NAND）采用Toggle双倍数据速率 （DDR） 5.0 接口标准。Toggle标准由三星和东芝（现为Kioxia）共同创建，而DDR 5.0接口标准加快了数据传输速率，使三星能够提高V-NAND性能。

Handy 说：“Toogle DDR 5.0接口速度非常快，如果有人希望更快的NAND，现在就在这里。”

最新版本Toogle使数据传输速率达到每个引脚2400 Mbps，对于16引脚设备，数据传输速率为4800 GB/s。他说，NAND芯片的性能很快，但从芯片到控制器，然后通过接口到主机，性能会变慢。

尽管如此，芯片性能的提高将有利于SSD性能。Handy说，虽然任何NAND都可以用于更快的PCIe 5.0 SSD接口，但更快的NAND将带来更快的整体驱动器性能。

IDC的Janukowicz称：“每一代NAND都会看到内部结构的变化，这可能导致性能的提高。”

新规格的潜力

为即将推出的接口提高速度并不是这个新芯片的唯一潜在优势。Janukowicz说，每晶圆的密度是另一个新兴趋势，即从传统规格转向企业和数据中心标准外形规格（EDSFF）。某些外形规格的NAND封装空间有限。

“无论是长还是短，我们都看到转向更高容量的趋势，特别是在E.1L外形规格上，”他指的是长型或标尺SSD。

Handy说，通过添加更多的NAND来获得更高的容量也会产生更多的热量。EDSFF变频器具有更好的热调节能力，使其成为更高容量的更好选择。