Micron公司最近推出了第一款QLC闪存产品，为NAND闪存市场又增添一位成员。而英特尔公司也计划在2018年下半年推出其首款QLC闪存产品。

QLC或者说四层单元是最新一代闪存产品，第一代的产品是SLC（单层单元或者说每单元存储1 bit数据），随后是MLC（每单元存储2 bit数据）以及TLC（每单元3 bit数据）。

那么，QLC是什么？它对闪存存储市场意味着什么？

顾名思义，QLC允许每个闪存单元存储4个0或者1，这意味着每个单元有16种不同组合，即0000,001,0010,0011,0100,0101,0110,0111,1000,1001,1010,1011,1100,1101,1110和1111。

而单层单元只能存储2个– 0 或1 –，MLC和TLC只能存储4个或8个，显然，QLC将存储密度提高了2倍，这一点不容置疑。

但它有一个缺点。虽然与现有闪存产品相比，QLC可将更多数据封装到更小的区域，但它在写入时更容易耗损。

事实是，对于QLC，我们正在研究真正无法多次被写入和重写的媒介。

这是因为闪存存储是基于读取不同材料层之间的电压流动，这种实际电压流动的机制可在量子物理层面解释。

总而言之，QLC需要在非常狭小的空间（会受到磨损影响）进行其切换和测量，使得读取电压不太确定。其实在任何闪存写入，实际上都会消耗写入和重写数据的能力，尤其是对于QLC。

目前Micron公司还没有提供5210 QLC的性能数据，仅提供了与其5200 TLC Eco驱动器相比的数据比率。

例如，随机读取次数为95000 IOPS的0.8倍至1倍，而顺序写入性能将可达520 MBps的0.6倍至0.8倍。

对于随机写入，性能仅为22000 IOPS的0.25倍。这大约是6500 IOPS，仍然远远超过旋转磁盘硬盘的水平—每个硬盘可能为仅为200 IOPS。

不过，IOPS并不是QLC驱动器的致命弱点，它的耐用性才是主要限制因素。

在数据写入预计寿命方面，1.92 TB Micron TLC 5200 Eco的耐用性是3.5 PB；5210 QLC只能达到0.05倍至0.1倍。

这就是说，在其生命周期内，你可向该1.92 TB驱动器写入175 TB到350 TB数据。这大致相当于大约180次用数据填充和重新填充它。

鉴于其局限性，QLC只会有相当有限的用例。

这些用例将会与Micron公司描述的类似，即大规模（可能是网络规模）操作，这种操作需要快速读取，且数量远远超过写入量，因此，数据很少可能被重写。

这种用例确实有市场，而该市场目前正在暂时依靠硬盘驱动器来支持。

现在的问题是，考虑到QLC的局限性如此明显，是否可将其从NAND闪存家族中移除？或者QLC是作为最后一代闪存？