全球企业存储领导者HGST（昱科环球存储科技公司）昨日预演了其全新的固态硬盘(SSD)架构，该架构能够让应用更快应对未来的数据密集型问题。此次演示结合使用了HGST全新的低时延接口协议和下一代非易失性存储组件，展示了前所未有的SSD性能水平。

此次SSD演示使用了一个PCIe接口，在一个队列环境中实现了高达300万次的随机读取IOPS（512B），并在非队列环境中实现了1.5微秒的随机读取时延。上述性能是现有SSD架构和NAND闪存无法实现的，比现有基于闪存的SSD快几个数量级，从而催生出一个全新类别的块存储设备。

HGST首席技术官Steve Campbell表示：“此次PCM SSD演示是HGST引领快速发展的存储行业的一个范例。该技术是我们多年研发的成果，旨在将企业级应用的性能提升至一个新的高度。通过结合使用HGST的低时延接口协议和下一代非易失性存储组件，我们实现了前所未有的性能，并为我们的客户和行业合作伙伴创造了与HGST共同探索新型软件和系统架构的绝佳机遇。”

SSD中未来非易失性存储器的应用领域

该SSD中使用的存储器由多个相变存储器（PCM）组件构成，容量为1Gb。PCM是一个全新类别的高密度、非易失性存储器，其读取速度远远高于NAND闪存。

为了使服务器系统及其软件应用能够充分利用这些全新存储技术的全部能力，HGST还开发了一个低时延接口架构，该架构针对性能进行了全面优化，而且不依赖于具体的底层存储技术。HGST利用其控制器专业技术集成了多个45纳米1Gb PCM芯片，用以打造一个全高、全长型PCIe Gen 2×4 SSD卡。 

为了实现接近1微秒的时延，HGST与圣地亚哥加州大学的研究人员共同开发了一个全新的通信协议。这个新的接口协议已在今年早期举办的Usenix文件及存储技术大会（FAST）上推出。 

一个全新类别的存储设备

HGST研究院存储架构经理Zvonimir Bandic博士表示：“300万次IOPS的确出类拔萃，但这并不是此次演示的最大亮点。真正令人激动的是，它能够实现接近1微秒的小块随机存取时延。这一点是NAND闪存和现有控制器及接口技术无法实现的。” 

这些新兴的NVM的最大优势是它们的读取时延比NAND闪存缩短了超过两个数量级。为了充分利用这一内在优势，需要采用新的控制器和接口技术。当前最先进的NVMe协议在NAND闪存环境中并不存在任何问题，但却不适用于这些新兴的NVM技术，NVM技术将把一个全新类别的存储设备引入到数据中心生态系统中。

HGST将于2014年8月6日（星期三）和8月7日（星期四），在加州圣塔克拉拉市圣塔克拉拉会议中心举办的2014闪存峰会的HGST 316号展位上演示其 PCM SSD。