闪存会被其它技术所取代吗？

目前已有很多关于其他类型非易失性存储器（NVM）技术取代闪存的讨论。这些技术的支持者们通常在IEEE会议上开始他们的演讲，其出发点是闪存已经达到其发展的终点，不能再进一步发展。这些令人兴奋的技术包括MRAM、RRAM（惠普的忆阻器归属此类）、PCM以及racetrack技术。回顾历史在过去50年里只有两大存储技术DRAM和闪存获得大规模应用。这些新的NVM技术面临两方面挑战：

• 需要了解这些技术究竟是如何工作的，以及它们如何能够批量生产并进一步提高产量；MRAM可以基于低密度芯片技术大量生产，并有可能拓展到DRAM领域，但其他技术仍旧处于大学研究阶段，离量产还有很长的路要走。

• 需要有足够的需求以保证必要的投资，在最新的芯片技术上部署这些技术（并因此取得性能收益）；任何新技术都需要面对自身的Catch-22的挑战，从保障投资以支持那些最新技术，到增加产量降低成本的长期目标。因此在现阶段，还不存在确定的杀手级应用可以取代闪存。

闪存是通向未来3D技术的一条辉煌之路，并且表明对闪存的投资已经成功找到闪存面临问题的解决之路，而按照那些NVM新技术的拥趸所言，这些问题闪存根本无法解决。历史总是惊人的相似，DRAM技术的继续发展就是明证。

MRAM的产能有限，并且具有潜在可能性作为电容器保护DRAM的替代品。而闪存同时也在迅速发展。随着原子写入，磁盘和闪存之间的访问时间已经缩小了10000倍，以64字节的顺序写入为例，所需时间已经从开始的最快1毫秒减少到100纳秒。RRAM和PCM技术在小众市场上有一些军事应用的潜力，而这些技术在未来物联网的微传感器领域可能会有用途。尽管如此，Wikibon相信，除非有新的NVM技术在消费产品领域被批量采用，对闪存技术的持续投资，仍将受强烈消费需求的驱动，并使其它NVM替代技术不太可能实现量产，因此也就无法在企业级计算经济中实现大规模应用。

关键点：就像Wikibon之前表示过的，闪存将会是企业计算领域唯一重要的NVM技术，至少在未来五年内（这个十年结束时）是如此，并很有可能延续到下一个十年。无需掩饰，闪光在可预见的将来，将会成为电子数据中心的永久存储介质。