SSD（固态硬盘）是在固态闪存芯片上存储永久数据的存储设备。SSD上没有任何机械部件，完全由半导体存储器组成，并利用集成电路（IC）技术，而不是磁或光学介质。

如果你对SSD存储还不够了解的话，那SSD的诸多术语会让你不知所措。

下面就SSD高频术语分别进行详细解释，也许有些你已经知道，可能有些你还不明白，但对于更多地了解SSD异常关键。

1.SSD超额配置

顾名思义，超额配置就是闪存固态存储容量超额。实际上超额的存储容量并没有占用主机可用的存储空间。SSD超额配置有很大优势，它可以通过对大量NAND数据块超时写入和擦除总数据量进行分配，以提高耐用性。

2.PCIe固态存储

PCIe是直接在服务器上安装的高速扩展卡。由于其直接连接，所有基于PCIe的固态存储的性能要高于基于服务器的SATA、SAS和光纤通道（FC）固态存储器。它是有频繁读写要求的应用的最佳选择，诸如在线事务处理和数据仓库。

3.Tier 0存储层

作为目前速度最快、成本最高的存储层，Tier 0可以视为有快速访问应用需求的企业的理想选择。同时，它的出现也改变了存储层格局。在Tier 0存储层中采用固态存储技术，实现了从仅仅把不常用数据移动到低速、低成本的存储层，到把常用数据移动到高速、高成本的存储层的转变。

4.阻变式存储器（RRAM）

阻变式存储器（RRAM）是以非导性材料的电阻在外加电场作用下，在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的非易失性存储器。作为阻变式存储器芯片一个重要的电子元件，忆阻器（memristor）的电阻会随外加电压的高低而改变。相比其它非易失性存储技术，RRAM是高速存储器。工程师在对忆阻器（memristor）技术进行潜心研发的道路上遇到的拦路虎，恰恰是阻变式存储器（RRAM）的潜路通。

5.IOPS(每秒进行读写操作的次数)

IOPS(每秒进行读写操作的次数) 是单位时间内对非连续存储空间进行读写操作的请求数量。

6.固态存储的擦除周期(P/E cycle)

固态存储的擦除周期(P/E cycle)是指从写入数据到固态NAND闪存，然后在写入新的数据前擦除所经过的时间。闪存的使用寿命是以擦除周期来衡量的。闪存的擦除次数是有限的，因为每个擦除周期介质都会不同程度的磨损。随着磨损的不断加剧，最终导致闪存寿终正寝。由于供应商采用的技术不同，闪存的磨损和擦除周期也不尽相同。

7.TRIM指令

TRIM是告诉NAND闪存固态存储设备要擦除哪些数据的SATA接口指令。当相关页面的数据可以被覆盖时，操作系统会发给SSD一个TRIM指令。SSD控制器等到主机开始删除和再次写入操作的时候，执行安全擦除操作。因为在写入操作过程中不用花时间去擦除原本的数据，写入速度要快得多。

8.混合式硬盘

混合式硬盘是加入NAND闪存的机械硬盘。其中NAND闪存作为非易失性缓存，可以实现更快的数据访问。

9.多层单元（MLC）

多层单元（MLC）闪存是在每个单元可以存储两位数据。相比于单层单元（SLC）闪存，其成本要低，这使得它是消费级固态存储的可取选择。MLC的缺点是比特误差率比SLC要高，那是因为它误读单元状态的机率大。

10.Flash控制器

Flash控制器在闪存中可以实现与主机的通信和管理文档目录工作。不仅如此，它还可以实现数据存储和存储器使用的耗损均衡、数据纠错和垃圾回收。