根据市场研究公司IHS iSuppli研究，由于向更先进光刻技术的过渡减慢，从今年下半年到明年DRAM内存芯片平均价格的下滑预计将愈加放缓。
DRAM价格的全球平均下滑速度从第一季度的14.2%放慢至第二季度的12%，据IHS预计，DRAM价格下滑率将在第三和第四季度继续放慢至9%和4%，明年年初只有1%，然后保持3%~4%的水平。
据IHS表示，由于向更先进光刻技术过渡的步伐减慢，因此DRAM价格下滑率也随之放缓。DRAM的定价趋势主要受制造工艺技术进步的影响。
据IHS研究，今年第一季度全球DRAM制造业的平均光刻尺寸缩小5.6%，达到近期的一个新高。但是这个收缩率预计将在第二、第三和第四季度减少至5.2%、4.8%和3.7%，2012年第一季度和剩下三个季度分别达到3.8%和4%。
IHS内存分析师Dee Nguyen表示：“由于2010年底和2011年初光刻技术的显著进步，在接下来的时间中将有所放缓。”
Nguyen表示，2011年DRAM资本指出预计将下降30%，从而导致2011年下半年和2012年DRAM制造成本下降的步伐减慢。
IHS预计，DRAM成本缩减将在2013年再次加速，2012年DRAM制造商的资本指出预计将增加23%，这将在2013年进一步刺激价格下滑。
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