为了突破NAND闪存瓶颈，三星和东芝制定了一个新的行业标准。这个新的行业标准则是增加10倍的数据速率。
现在所使用的NAND芯片通常是40Mbit / s的单数据速率（SDR）接口。这是个能提供133Mbit / s的双数据速率（DDR）1.0规格的触发器。这样的DDR接口适用于单数据速率的NAND结构。三星和东芝公司希望产生400MBit / s的DDR2.0规格，速度将是DDR1.0的3倍。他们已经完成的这种规格的开发。
三星负责内存营销的副总裁Dong-Soo Jun说，NAND需要更快的发展：”第四代智能手机，掌上电脑和固态硬盘驱动器的广泛应用，将使高性能NAND的开发更加紧迫”。
上个月，在JEDEC固态技术协会上，各公司都开始对新技术的标准化工作。
东芝和三星称DDR 2.0 NAND闪存将直接受益手机和电子产品性能的提高。虽然通过企业存储时将需要英特尔和镁光的支持，但其仍承诺DDR 2.0 将成为一个真正的行业标准。
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