英特尔和其合作伙伴美光（Micron）周一表示，他们已开始大规模量产采用34纳米技术的NAND闪存芯片。

　　工艺制程的改进意味着制造商可以缩小晶片组件，这样就可以在同样的大小下获得更多的容量。最新的产品每个核心的容量为4GB，在一层上有8个核心，两层堆叠在一个封装内，总容量为64GB。

　　这项技术采用标准的48引脚TSOP（Thin Small-Outline Package ）封装 ，这是一种进行表面贴装集成电路的封装，可以应用于MP3播放器，移动电话以及其它对存储空间有要求的设备上。

　　”这种微小的34纳米、32GB的芯片，使我们的客户能够轻松地为消费者和电子产品增加其NAND的存储容量。”美光副总裁Brian Shirley在一份声明中说。

　　该公司表示，最新的芯片在300毫米的晶圆上进行切割，成品会比指甲盖还小。这一产品目标是数码相机，个人音乐播放器和数码摄像机的制造商。此外，新的技术可用于增加固态硬盘的存储容量。

　　合作伙伴们没有透露使用34纳米闪存的数码产品何时会投放市场。英特尔与美光则表示，他们期望明年年初会见到更多采用34纳米工艺的产品问世。

　　库存过剩的内存市场造成了市场价格的下降，这严重削减了制造商的收入。美光上个月表示，它将削减内存芯片的产量并减少15%的劳动力。

　　美光科技公司还宣布，其同英特尔的合资公司IM Flash设在Boise的工厂将停止生产芯片。今年4月，市场研究机构iSuppli预测，为了提高营收，2008年全球NAND市场将会削减三分之二。主要原因是降低消费开支疲软的影响，是否会进一步下降将会取决于目前的经济衰退的态势。