3D NAND将持续专注TLC？

日期： 2015-11-26 作者：Brien M. Posey翻译：李冠楠 来源：TechTarget中国 英文

专家Brien Posey指出，出于成本效益的考虑，厂商们开始大批向TLC 3D NAND进发。

Brien Posey：当前，我认为几乎所有的3D NAND闪存都将基于TLC芯片。原因有很多，但最终归结为厂商追求以及可用的技术。

闪存一直以来都作为替换旋转磁盘介质的快速存储选项，但仍旧不能摆脱容量限制。原因在于基于闪存冲模的存储单元数是有限的，这将影响到设备的整体存储容量。

闪存厂商在过去曾尝试分别用两种技术来提升容量：3D NAND闪存和TLC。3D NAND格式基于垂直堆叠存储单元的构想。这将实现闪存设备容量的大幅指数提升。

而TLC则通过在每单元中存储更多数据来提升容量。SLC每单元存储1 bit数据，MLC每单元存储2 bit数据，那么TLC则能够实现每单元3 bit的数据存储。

如果存储厂商不断追求闪存容量提升，以及由此下降的每GB成本，那么同时利用TLC和3D NAND将富有建设性。

虽然当前闪存厂商都在追赶TLC 3D NAND的潮流，但这并不代表未来的走向。每隔一段时间就会出现技术变革，最终也将会出现替代TLC的新型芯片，而在此之前，我认为3D NAND产品将充分利用TLC。

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作者

Brien M. Posey
Brien M. Posey

Brien M. Posey,微软认证系统工程师，Windows 2000 Server 和 IIS方面最有价值专家。Brien曾任全国性连锁医院的CIO，负责过Fort Knox的网络安全。作为一名自由撰稿人，他为微软, CNET, ZDNet, TechTarget, MSD2D, Relevant Technologies 以及其他的科技公司写过稿。

翻译

李冠楠
李冠楠

TechTarget中国存储组主编。

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