存储系统管理员在学习如何往他们的环境中添加固态存储设备的同时，开发人员在不断探索新的内存技术。来自Demartek LLC的Dennis Martin在这个“存储决策”的演讲中，讨论了几项前景不错的非易失存储器技术。 “实验室环境下已经研发了几种，作为后NAND闪存技术，这么说吧，这些技术是其他类型的非易失性存储器技术，未来有希望替代NAND闪存，”Martin说。 一项新技术是NVDIMM，Martin称该技术如今已可用。
它是非易失性的DRAM，所以当你关闭电源时数据仍留存，”他说，它虽然价格较高，但能够提供跟DRAM媲美的速度和容量。另外一项技术是相变存储器（PCM或PRAM），Marti……
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存储系统管理员在学习如何往他们的环境中添加固态存储设备的同时，开发人员在不断探索新的内存技术。来自Demartek LLC的Dennis Martin在这个“存储决策”的演讲中，讨论了几项前景不错的非易失存储器技术。
“实验室环境下已经研发了几种，作为后NAND闪存技术，这么说吧，这些技术是其他类型的非易失性存储器技术，未来有希望替代NAND闪存，”Martin说。
一项新技术是NVDIMM，Martin称该技术如今已可用。它是非易失性的DRAM，所以当你关闭电源时数据仍留存，”他说，它虽然价格较高，但能够提供跟DRAM媲美的速度和容量。另外一项技术是相变存储器（PCM或PRAM），Martin说该技术已经在某些型号的手机上投入使用。
其他前景不错的存储器技术包括铁电存储器（FeRAM）、磁性RAM（MRAM）的变体“racetrack”和“spin-torque”、电阻式RAM（RRAM）以及忆阻器。Martin说其中一些技术有冲击市场的可能。
“在这些技术里面，相变存储器、spin-torque和忆阻器这几项技术会比其他的更热门些，”Martin说。
Martin说这些技术跟NAND闪存相比，延迟更低、耐久更高。“举例来说某些技术写周期可达百万级，而NAND闪存只有十万次，”他说。
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