忆阻器能否替代NAND闪存?

日期: 2013-07-22 作者:Leah Schoeb翻译:statfs 来源:TechTarget中国 英文

我听说忆阻器有可能成为闪存的替代品,忆阻器到底是什么?它是如何工作的呢?

Leah Schoeb:忆阻器的概念是由电路理论学家蔡少棠(Leon Chua)提出的,他将忆阻器描述成一个连接电荷和磁通量的非线性、二元被动电子元件。这种被动电子元件包括电流和电压的时域关系。

在他提出的预测概念中,蔡教授认为这个定义能够涵盖所有基于电阻开关的非挥发性二元存储设备。忆阻器、电阻器、电容器与电感元件这四类电子元件,能在纳米级别展示它们的独特属性。

尽管现在很多公司都在研究忆阻器,如惠普、Intel、SK Hynix和美国休斯实验室(HRL),但是仍然没有可以用作快速原型和组件构建的独立版本。只有早期原型。现在关于什么材料最适合做忆阻器的研究有很多,而二氧化钛忆阻器是目前最有前景的一个。

我们一直都在努力坚持原创.......请不要一声不吭,就悄悄拿走。

我原创,你原创,我们的内容世界才会更加精彩!

【所有原创内容版权均属TechTarget,欢迎大家转发分享。但未经授权,严禁任何媒体(平面媒体、网络媒体、自媒体等)以及微信公众号复制、转载、摘编或以其他方式进行使用。】

微信公众号

TechTarget微信公众号二维码

TechTarget

官方微博

TechTarget中国官方微博二维码

TechTarget中国

电子邮件地址不会被公开。 必填项已用*标注

敬请读者发表评论,本站保留删除与本文无关和不雅评论的权力。

作者

Leah Schoeb
Leah Schoeb

Leah Schoeb是Evaluator Group资深合伙人,存储、虚拟化专家。

相关推荐