3D NAND将持续专注TLC?

日期: 2015-11-26 作者:Brien M. Posey翻译:李冠楠 来源:TechTarget中国 英文

专家Brien Posey指出,出于成本效益的考虑,厂商们开始大批向TLC 3D NAND进发。

Brien Posey当前,我认为几乎所有的3D NAND闪存都将基于TLC芯片。原因有很多,但最终归结为厂商追求以及可用的技术。

闪存一直以来都作为替换旋转磁盘介质的快速存储选项,但仍旧不能摆脱容量限制。原因在于基于闪存冲模的存储单元数是有限的,这将影响到设备的整体存储容量。

闪存厂商在过去曾尝试分别用两种技术来提升容量:3D NAND闪存和TLC。3D NAND格式基于垂直堆叠存储单元的构想。这将实现闪存设备容量的大幅指数提升。

而TLC则通过在每单元中存储更多数据来提升容量。SLC每单元存储1 bit数据,MLC每单元存储2 bit数据,那么TLC则能够实现每单元3 bit的数据存储。

如果存储厂商不断追求闪存容量提升,以及由此下降的每GB成本,那么同时利用TLC和3D NAND将富有建设性。

虽然当前闪存厂商都在追赶TLC 3D NAND的潮流,但这并不代表未来的走向。每隔一段时间就会出现技术变革,最终也将会出现替代TLC的新型芯片,而在此之前,我认为3D NAND产品将充分利用TLC。

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作者

Brien M. Posey
Brien M. Posey

Brien M. Posey,微软认证系统工程师,Windows 2000 Server 和 IIS方面最有价值专家。Brien曾任全国性连锁医院的CIO,负责过Fort Knox的网络安全。作为一名自由撰稿人,他为微软, CNET, ZDNet, TechTarget, MSD2D, Relevant Technologies 以及其他的科技公司写过稿。

翻译

李冠楠
李冠楠

TechTarget中国存储组主编。

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